檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "none".ecommittee (精準) and cadvisor.raw="陳良益"
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本研究目的為藉著製備多維度結構基板，以應用於表面增幅拉曼光譜分析上。不同以往，早期表面增幅拉曼基板大多是將金屬奈米粒子製備於平面基板上，但本研究以傾斜-撈取法技術可簡易製備出規則排列的聚苯乙烯奈米球…
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本論文研究主要是應用高溫爐法，以鎵金屬及氨氣做為鎵與氮的來源，於鍍金的矽基板上成長氮化鎵奈米線。在實驗參數設計上，則藉由控制基板的位置、鎵源的汽化溫度，來改變提供鎵源的量，同時由不同的反應氣體流量與…
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本論文研究主要在於利用水平式高溫爐化學氣相沉積法成長氮化鎵及其相關的一維奈米線材料。在氮化鎵奈米線的成長上，主要使用乙醯丙酮鎵(III)(Gallium(III) acetylacetonate)與…
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本研究是以水熱法以醋酸鋅與六甲基四胺為反應物，溫度為90oC下，成長高順向性氧化鋅奈米柱於氧化銦錫透明導電玻璃基板上。在型態上，以掃描式電子顯微鏡進行分析；在光學性質上，使用紫外光/可見光吸收光譜儀…
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本論文主要是進行太陽光電極的探討。在結構上，主要是以不同比例二氧化鈦奈米柱與奈米粒子混合構成。而奈米柱的製備則是以水熱法進行，並經過700oC退火處理2小時後，得到銳鈦礦相之二氧化鈦奈米柱。前期利用…
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在本研究中所探討的四元化合物半導體材料-硫硒化銅錫的能帶間隙因相似於硫(硒)化銅鋅錫，且其導帶之位置高於水的還原電位，因此適合做為以光進行水分解產生氫氣的電極材料。此外，受到量子侷限效應的影響，一維…
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在本研究中主要利用非配位系統中合成硒硫化鎘三元量子點，並藉由組成成份分析、吸收與放射光譜分析建立此三元量子點材料的結構模型。於非配位系統中調變II族元素與VI族元素比例來控制量子點形態時發現：VI族…
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本論文利用非配位法與配位法進行硒化鋅奈米晶體的成長，主要的參數有：成長溫度、表面活性劑種類與反應物之間的莫耳數比例等，經光譜性質分析與晶體結構分析後，獲得最佳化成長條件。於非配位法中，根據吸收光譜與…
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硒硫化銅鋅錫奈米晶體為 p 型直接能隙半導體，具有低成本、毒性較低、吸收係數高(>104 cm-1)等特性。由於其能隙值約為1.0~1.7 eV，因此適合應用於薄膜太陽能電池吸收層。在本研究以醋酸銅…